國際電子商情報道,據長江存儲官方消息,8月初,長江存儲CEO楊士寧博士將發表《創新架構,釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。楊士寧博士將會介紹此項技術是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當的水準,同時使存儲密度達到行業領先水平,實現閃存行業的劃時代躍進。
Xtacking技術將為NAND閃存帶來前所未有的超高傳輸速率,從而將NAND閃存應用產品,如UFS、消費級及企業級SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業伙伴以及標準機構的合力幫助下,XtackingTM 將為高性能的智能手機、個人計算、數據中心和企業應用展開新篇章。
XtackingTM技術實現了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時間,并使NAND閃存產品定制化成為可能。
據悉,目前長江存儲即將量產32層3D NAND Flash,按照規劃,明年開始量產64層3D NAND Flash。