國際半導體技術藍圖(ITRS)及國際內存大廠一致認為，主流內存DRAM及NAND Flash因組件特性及物理結構等先天問題，將在1xnm以下遇到制程微縮的重大挑戰與瓶頸，將嚴重影響其成本、容量及效能的發展情形。

 

工研院IEK產業情報網指出，為了持續降低內存的單位成本、提升容量與增加效能，諸多新技術正在進行研發，例如3D Memory，3D IC/TSV等，而下世代內存也有機會突破上述限制，從不同的材料與設計著手，并在2016~2021年有機會開始取代目前主流內存，例如PCM、RRAM、STT-MRAM等。

 

2012年全球內存市場規模與增長率

 

下世代內存介紹

 

ITRS成立下世代內存工作小組，挑選數個下世代內存技術，并進一步評估何者具未來發展潛力，以持續聚焦加強研發并實現商業化。除了PCM已商品化之外，ITRS認為STT-MRAM和RRAM具有較大的未來發展潛力。

 

一般產業界認為，具未來發展潛力的下世代內存技術需具備以下特性：運作機制為已知(Mechanism)、具有良好的效能、在16nm以下，可再微縮多個世代、在5~10年內(2016~2021)可準備好試產。

 

國內外各大廠商（三星、東芝、海力士、美光、爾必達等）都非常重視下世代內存技術的發展，也持續投入不少研發能量，主要包括PCM、STT-MRAM及RRAM等，待未來競逐每年1,000億美元的內存市場大餅(2020年)。

 

全球主要投入下世代內存之廠商說明