現今電子產品正變得越來越復雜，功能正在擴大，設備要連接到網絡，用戶接口運用更多圖形和互動。這些進步需要更快的隨機讀取性能，滿足消費者的體驗期望；而儲存下載的應用程序和用戶數據，也需要更高密度的閃存。閃存已成為系統內更加重要的組成部分。

 

針對相關技術的發展，Spansion資深副總裁暨首席技術官Saied Tehrani表示，閃存技術正持續演進和擴大規模來滿足這些新的產業發展趨勢之需要；但仍需要架構和接口的進化，使性能達到更高的水平。那些需簡化內存子系統的應用程序和需減少針腳數的優勢產品，將會持續從平行閃存轉型到串行閃存。

 

電荷捕獲技術，解決可靠性問題

 

再者，標準型NAND Flash內存產品最大挑戰之一在于浮動柵技術的縮放比例。業界發現今日的解決方案2 xnm節點，在質量和可靠性方面造成嚴重降級，使得錯誤偵測、錯誤更正碼和控制器更加錯綜復雜。Tehrani指出：“浮動柵技術正面臨瓶頸，我們將需要新的記憶產品。Spansion相信電荷捕獲技術可能是橋接業界需要，實現 1 x nm NAND的未來走向。”

 

基于此，Spansion的65nm閃存產品已使用電荷捕獲技術，而45nm電荷捕獲技術平臺已達合格要求，未來可使用在并行和串行 NOR 產品的發展。另外，Spansion也應用電荷捕獲技術來創建在43nm節點上NAND的產品。Saied Tehrani強調：“這項技術證明了平面、可擴展的 1Xnm NAND的生產技術是可行的。”此外，電荷捕獲技術也可用于3D NAND產品。整體而言，Spansion未來將持續投資于更高性能和密度的嵌入式NOR Flash內存市場的解決方案。

 

Spansion目前在嵌入式市場提供三種主要類型的非揮發性閃存產品，包括并行 NOR Flash、串行 NOR Flash 與單層式NAND Flash。主要應用目標領域包括汽車、工業、計算機科技、通信、消費產品、游戲和部分無線產品。Spansion最新一代的 65nm 并行 NOR、Spansion GL產品、串行 NOR和Spansion FL產品等能提供業界最快的讀取的性能，因此廣獲業者青睞。

 

 

Spansion的語音協同處理器
 

 

Spansion新近發表搭載 Nuance VoCon 軟件引擎的Acoustic Coprocessor （Spansion語音協同處理器），便備受汽車業等領域的期待。據了解此為業界第一款人機接口 （HMI） 協同處理器，可提供以語音控制的系統接口，主要應用于汽車、游戲及消費性電子產品的語音識別系統。Spansion Acoustic Coprocessor包含自定義設計的邏輯與高速內存，以促成并優化具有語音功能的人機接口，同時減輕傳統 CPU 處理聲音數據的工作負載。

彈性產能及服務，滿足多元需求

 

針對中國大陸市場的經營，Spansion則推出了新的低密度串行閃存產品，從4 Mb到64 Mb，目標為消費類電子產品。Spansion在中國的重點市場包括機頂盒、家庭聯網設備如調制解調器和家用網關，以及像推動下一代 4G/LTE移動基礎設施的企業網絡設備。

 

Tehrani表示，Spansion的客戶包括市場最受歡迎的品牌，以及較小的利基型電子公司等。Spansion近年更獲得許多公司所頒贈的最佳供貨商獎，其中包括Coship, 富士通, 華為, TCL和中興等公司。

 

Spansion在中國擁有專注于客戶端的工程師、市場營銷和銷售團隊來直接服務客戶，并且廣泛支持全球和區域的經銷商，包括艾睿，安富利，亞訊科技，益登科技，e絡盟，北高智，匯新和威健，提供銷售和技術支持網絡。Spansion最近還在鎮江和上海成立新的研究與開發中心，聚焦于發展具成本競爭力的串行 NOR 閃存，開發中國和全球市場。事實上，包括中國大陸在內的亞太市場，其2012年第一季營業額已占Spansion總營收將近三分之一。

 

根據Spansion所提供的資料，該公司新近于2012年的第一季，在嵌入式 NOR市場取得領先，營收達2億1,900萬美元，并且贏得超過450種閃存產品的新設計。有關生產策略，Saied Tehrani指出，Spansion的生產策略是充分靈活利用在得克薩斯州奧斯汀市的內部晶圓廠，廣泛生產110nm、 90nm和 65nm技術的產品，并從代工伙伴包括在中國武漢市的中芯國際獲得額外的產能來補充產能需求。這個具彈性的產能，可確保我們能夠響應客戶需求的變化。

 

推動嵌入式IP授權業務，與晶圓大廠合作

 

的確，對于嵌入式內存業者而言，滿足多樣化市場為相當大的挑戰，臺灣的常憶科技主要以嵌入式閃存IP授權滿足客戶的多元需求，包括手機NFC SIM、觸控銀幕、智能卡、MCU、PC與外圍、智能型家電、工業控制等各類產品。其中又以NFC SIM及智能卡等為市場主力。常憶科技新近便推出pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接觸/接觸雙適配卡解決方案，適用于低功率傳輸裝置例如銀 行卡，NFC等。

 

 

pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接觸/接觸雙適配卡解決方案
 

 

據了解，常憶科技所推出的0.18um pFusion嵌入式閃存解決方案，已與多家晶圓合作伙伴合作生產超過3年，本次推出的0.13um pFusion嵌入式閃存解決方案，系擴展其應用領域，提供許多非接觸/接觸雙適配卡產品更進一步降低成本的途徑。

 

常憶科技創立于1995年，該公司由pFlash和pFusion兩個事業單位組成，前者pFlash主要為開發和生產標準型NOR內存，后者pFusion則負責將嵌入式非揮發內存的生產技術及智財權授權予晶圓代工廠及IC設計公司，并提供客制化設計及技術咨詢服務。

 

pFlash和pFusion的擦寫規格包括20萬次擦寫后仍可保存數據長達20年，以及低于百萬分之四的出貨質量水平。常憶pFusion事業處總經理張有志指出，”存儲單元具有專利的雙晶體管PMOS 和band-to-band-tunnel(BTBT)的數據寫入機制，可確保最佳的擦寫與讀取性能、智財面積的最小化、以及最短的測試時間。此外，閃存單元的制造技術使用傳統的ETOX結構，使工廠的生產和微縮更簡單容易。”常憶并預計于2014年推出65nm pFusion嵌入式閃存解決方案。

 

張有志表示，就目前常憶的營收比例而言，仍以標準型NOR內存的貢獻較大，然而，智財權(IP)收入的比重雖低，但毛利率相當高，張有志指出，”在IP部分，我們目前的主要客戶為和鑒、中芯等。未來將積極打入其他晶圓代工業者，致力拉升營收比重。”

 

就全球嵌入式閃存產業生態來看，以常憶及SST(已并入Microchip)這兩家公司耕耘嵌入式閃存IP最深，而隨著全球手機支持手機付費功能及觸控功能的發展，常憶科技在此領域的成績頗受期待。