日經(jīng)亞洲評論12日引述未具名消息人士報導，長江存儲計劃在2021下半年，將存儲器芯片的月產(chǎn)量倍增至10萬片硅晶圓，約占全球產(chǎn)出7%。相較之下，全球最大NAND 型快閃存儲器制造商三星的月產(chǎn)出為48萬片硅晶圓，美國最大存儲器廠商美光（Micron Technology, Inc.）則月產(chǎn)18萬片硅晶圓。

除了擴產(chǎn)現(xiàn)有芯片，長江存儲也打算加快科技發(fā)展進程，近期，有消息人士表示，長江存儲計劃最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片。此外，計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍，至10萬片晶圓。

當然，消息補充稱，由于192層工藝的復雜性，需要時間確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，這一計劃有可能會被推遲到今年下半年。

對于上述消息，1月13日長江存儲發(fā)出《聲明》稱“均為不實言論” 。長江存儲強調(diào)，關(guān)于公司下一步建設(shè)計劃具體情況請以公司官方渠道為準。