市調機構 Yole Developpement 指出，包括分立式半導體、模塊和IC在內的功率組件市場規模預估2012年將達到200億美元。這些產品可滿足新興的混合動力車應用，以及從太陽能逆變器到照明、加熱器等多種應用，產品范圍從幾伏特到數千伏特都包含在內。

 

Yole 的分析師認為，中高壓市場中的 IGBT 產值約為16億美元。超接面(Superjunction) MOSFET 正在朝更高度開關頻率的方向發展，預估2012年市場規模為5.67億美元。

 

而性能可超越傳統硅組件的新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術，則由于過于昂貴，因此仍處在早期部署階段。

 

不過，Yole表示，這些材料將會對LED照明應用領域帶來影響，而且目前也已經有一些制造商表示考慮選用這些材料了。

 

“GaN和SiC還未成熟到足以應用在功率電子市場中：首先，這類產品要求改善制造技術，特別是在磊晶厚度方面；其次是材料仍然相當昂貴，因此很難走進一般消費應用領域，Yole表示。