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傳三星欲將其NAND閃存價格提高10%,美光有意效仿

 

據BusinessKorea報道,三星電子計劃將其NAND閃存價格提高10%,原因是日本政府對半導體材料出口限制導致生產中斷的擔憂日益增加。

報道稱,其他閃存制造商,如美光科技等公司也可能效仿。

此前,在東芝發生停電事故后,三星電子的供需狀況有所改善。NAND閃存庫存已經減少到四周,大約是DRAM庫存的一半,而NAND閃存需求在價格大幅下降后這幾天正在上升。

報道指出,三星電子的漲價計劃與NAND閃存最近持續的價格下跌有關。今年6月NAND閃存的價格為3.93美元,是自2016年9月以來的最低價格,當時價格為3.75美元。而一年前的NAND閃存單價高達5.5美元。上個月,NAND閃存合約價格變化不大,而DRAM合約價格下跌11.73%。

東芝是業內第二大公司,在停電事故發生后,其產量減少了20%以上。當時的停電事故,除了對東芝的產量造成影響外,也對西部數據也在東芝的制造工廠生產NAND閃存造成了一定程度的影響。

與此同時,由于東芝和西部數據的市場份額分別高達19.3%和15.3%,因此,東芝的停電事故對“隔空”對作為競爭對手的三星電子和SK海力士等公司也帶來了重大的影響。

有業內人士指出,全球半導體產業不太可能在明年上半年恢復,這意味著目前的價格上漲勢頭不太可能繼續。相反,計劃的價格上漲反映了NAND閃存制造商的絕望情緒,除了三星電子之外,這些NAND閃存制造商都處于虧損狀態。

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