過去1年來,內存產業表現明顯與往年大不相同,在歷經自2017年以來的繁榮后,內存市場逐漸由于產能過剩、庫存增加,加上技術提升,以及中國廠商的加入,2018年,DRAM和NAND閃存(NAND Flash)開始出現供過于求、價格走跌的趨勢,并將延續到2019年……
2018年已經過去,這一年發生了很多事情,有些促進了產業的發展,比如人工智能技術的快速發展和一些應用的落地;有些則給產業的發展帶來了一絲陰影,比如中興事件,以及逐漸升溫的中美貿易戰。但不管怎么樣,半導體產業必將會繼續向前發展。接下來,跟著國際電子商情一起來看看,2019年半導體存儲市場有哪些新的機會?哪些技術會有新的突破呢?
過去1年來,內存產業表現明顯與往年大不相同,在歷經自2017年以來的繁榮后,內存市場逐漸由于產能過剩、庫存增加,加上技術提升,以及中國廠商的加入,2018年,DRAM和NAND閃存(NAND Flash)開始出現供過于求、價格走跌的趨勢,并將延續到2019年。
就在1年前,內存產業還處于DRAM和NAND雙雙價量齊揚的繁榮周期,然而,從2018年第一季起,NAND市場開始下滑,DRAM市場也隨之在第三季之后走下坡。TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)預計,2019年的一整年都將會是供過于求的狀況。從DRAM市場來看,2016年下半年開始出現價格上揚,并延續到2018第三季仍處于高峰,在那之后才開始走緩。DRAMeXchange預計,目前這一波降價至少將持續到2019年第二季,降價幅度約10%~15%。
DRAM市場迅速飆升的主要成長動力來自于移動、服務器等應用需求。然而,當時由于晶圓廠產能不足以支撐快速成長的市場需求,導致供應短缺及價格飆升,同時也帶動了2017年的半導體市場成長。2018年DRAM市場持續這一波成長動能,并在第二季寫下歷年的營收新高記錄。
DRAMeXchange研究經理黃郁璇以DRAM市場的主要驅動力——移動DRAM為例指出,自2016年下半年起,由于中國手機品牌崛起、手機內存主流容量從2GB DRAM走向4GB,推動市場需求快速增加,加上季節性因素帶動,內存價格開始突飛猛進,促使內存原廠開始擴產以緩解市場短缺。這一周期直到2018第三季起才逐漸滿足市場需求,并隨著供貨持續往上爬升,預計從2018第四季起到2022上半年都將出現供過于求。
目前,盡管內存價格松動,廠商仍在積極增加產能,甚至計劃擴廠或工藝轉進。她指出,“包括美光、三星、海力士(SK Hynix)、南亞(Nanya)、中國的福建晉華(JHICC)等原廠持續增加DRAM產出,預計將為市場增加22.9%的成長。”特別是智能手機等移動設備使用的低功耗、高密度DRAM,預計將在整體DRAM市場占41%。
除了移動DRAM,另一成長動力來自服務器。黃郁璇預計,從2019~2021的3年內,移動DRAM仍占市場第一,但隨著服務器應用需求增加且更多元,可望在2021年后取代移動DRAM在原廠中的地位。
DRAMeXchange資深分析師劉家豪也強調,服務器是近幾年來驅動DRAM產值的關鍵推手,特別是數據中心。在Google、Amazon、微軟和Facebook,以及中國因特網三巨頭(BAT—包括百度、阿里巴巴和騰訊)的推動下,可望使2019年服務器DRAM維持3.7%的單位成長,其中來自北美ODM的需求動力約占9.8%,中國內需市場需求則將近三成。
未來,劉家豪指出,5G將會是驅動內存市場的關鍵技術,包括在5G及其基礎設施落實之前驅動服務器需求,以及在落實5G之后將催生來自邊緣運算以及物聯網/車聯網(IoT/IoV)的更多新需求。
5G、數據中心與邊緣計算將成為服務器DRAM需求增加的主要驅動力,并預計將在2021年后超越目前占主流的移動DRAM應用
NAND Flash市場的發展重點在于3D NAND。NAND Flash供應商長久以來一直在積極推動從當今的平面NAND轉向3D NAND。不過,去年,NAND Flash市場同樣受到產品短缺、供應鏈問題和技術轉型困難的種種挑戰。
Semico Research總裁Jim Feldhan指出,NAND Flash近來的市場發展基本上與DRAM大致相同,但DRAM自第四季開始起降價,而NAND Flash市場自2018年第一季起即出現供過于求,并持續了一整年,產品價格也大幅下滑。
Objective Analysis分析師Jim Handy也表示,“NAND Flash市場供過于求且價格下跌(2018年第一季)的時間比DRAM市場更早。其現貨價格甚至比2017年底的高峰時期更低了79%。”
根據DRAMeXchange的資料,2018年10月TLC NAND Flash顆粒與晶圓的合約價格跌幅高達13~17%,這是自2017年11月以來的單月最大跌幅。展望2019年,盡管原廠開始抑制擴產,但由于上半年的淡季加上庫存水平仍高,供過于求的情況只會更加顯著,預估第一季合約價將再進下跌約10%?;ㄆ煦y行的分析更估計2019年NAND Flash將大幅降價45%,甚至在第二季之前還看不到價格底線,各大內存廠商必須盡早預做準備。
事實上,NAND Flash市場的前景仍不明朗。根據Semico Research的數據顯示,2018年的2月、5月與7月,NAND價格分別下滑了5.3%、5.0%及8.1%,但8月和9月的價格卻又分別上漲了13.3%和14.1%。
但無論是DRAM還是NAND Flash,2019年的內存市況看起來似乎較為黯淡。不僅內存價格將持續走跌,甚至可能出現大幅下滑的趨勢,特別是2019年下半年。而且,很可能如同Handy預計的,在2019年,“DRAM和NAND Flash市場很可能一整年都‘無利可圖’,因為這些芯片幾乎都將以成本價出售!”