2018下半年，內(nèi)存市場(chǎng)的行情與上半年截然相反，過山車式的降價(jià)仍未見底，業(yè)內(nèi)看待明年市場(chǎng)是顧慮重重。據(jù)外資花旗銀行報(bào)告表示，2019年NAND Flash方面將會(huì)降價(jià)45%，DRAM 則降價(jià)30%，至少會(huì)持續(xù)到年中。對(duì)于內(nèi)存大廠來說，這無疑是個(gè)警訊。

面對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)的急劇反轉(zhuǎn)，三星表示，將持續(xù)強(qiáng)化晶圓代工的發(fā)展，并力爭(zhēng)在2020年量產(chǎn) 3 納米產(chǎn)品，趕超臺(tái)積電。

據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Eun Seung Jung表示，三星已完成3納米制程技術(shù)的性能驗(yàn)證，正在進(jìn)一步完善制程技術(shù)，目標(biāo)是2020年大規(guī)模量產(chǎn)。倘若如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這將會(huì)比臺(tái)積電計(jì)劃量產(chǎn)的2022年還要早兩年。

目前全球晶圓代工市場(chǎng)幾乎是臺(tái)積電一家獨(dú)大，占據(jù)了全球市場(chǎng)的60%市占率。不僅營(yíng)收遠(yuǎn)超于其它廠商，臺(tái)積電還掌握了最先進(jìn)的7納米制程工藝，包攬了未來一兩年內(nèi)7納米產(chǎn)品的全部訂單。三星想在7納米的賽道上追上臺(tái)積電，難度比較大，所以才把目光放在更先進(jìn)的3納米制程工藝上。

說起來容易，做起來難。首先，芯片技術(shù)革新不可能一步登天，三星在7納米制程節(jié)點(diǎn)上已經(jīng)落后太多，技術(shù)仍需要補(bǔ)齊；其次，發(fā)展晶圓代工需要大量的資金，當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)面臨大降價(jià)，三星也難獨(dú)善其身；接著，對(duì)手也非省油的燈，臺(tái)積電除了準(zhǔn)備投資新臺(tái)幣6000億建立新工廠外，還與眾多廠商合作，建立起生態(tài)體系。最后，芯片制程技術(shù)并非誰(shuí)先推出，誰(shuí)就有優(yōu)勢(shì)，屆時(shí)還需要對(duì)比各自的良率表現(xiàn)。

綜上所述，三星3納米制程能否趕超臺(tái)積電，恐怕還有變數(shù)。我們拭目以待吧！