12月3日，武漢新芯集成電路制造有限公司對外宣布稱，基于其三維集成技術平臺的三片晶圓堆疊技術研發成功。該消息一出，就引發了業界的關注，其原因在于三維芯片具備多重優勢，因此武漢新芯在三維晶圓堆疊技術方面的突破勢必會引發大家的熱議。

三維芯片由多個平面器件層垂直堆疊而成，并通過硅通孔進行層間互。與傳統的2.5D芯片堆疊相比，晶圓級的三維集成技術能同時增加帶寬、降低延時、提高性能、降低功耗。

據了解，三維集成技術是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術平臺。武漢新芯的三維集成技術居于國際先進、國內領先水平，已積累了6年的大規模量產經驗，能為客戶提供工藝先武漢新芯進、設計靈活的晶圓級集成代工方案。”武漢新芯這一技術橫跨了3D NAND、BSI、嵌入式存儲等多個領域，這對帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的AI和物聯網領域擁有頗為廣泛的應用前景。

當然，三維芯片堆疊技術仍要在良率提升、功耗降低、芯片的制造和測試成本增加層面都還要著力解決相應的挑戰。

實際上，3D的晶圓堆疊技術已有多年的研發歷史，但技術成熟度還比較低，進入量產階段仍需要一些時間，且相關技術主要被三星、SK海力士、英特爾，以及臺積電等先進半導體企業所把持，武漢新芯的這個突破將激勵中國大陸半導體行業在該技術的鉆研以及將加速相關應用的發展。