據悉，硅光芯片由國家信息光電子創新中心、光迅科技公司、光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、中國信息通信科技集團聯合研制。

在一個不到30平方毫米的硅芯片上，集成了包括光發送、調制、接收等近60個有源和無源光元件，是目前國際上集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。該芯片完成封裝后，其硅光器件產品的尺寸僅為312平方毫米，面積為傳統器件的三分之一。

此次100G/200G全集成硅基相干光收發集成芯片和器件的量產，已通過用戶現網測試，性能穩定可靠。

國家信息光電子創新中心專家委員會主任余少華院士稱，硅材料來源豐富，成本低，機械性能、耐高溫能力非常好，便于芯片加工和封裝。借助集成電路已大規模商用的CMOS工藝平臺實現硅光芯片的生產制造，可有效解決我國高端光電子芯片制造能力薄弱、工藝能力不足的問題。

7月20日，武漢郵電科學研究院（烽火系）和電信科學研究院（大唐系）聯合重組，成立中國信科集團，計劃未來5年內投資600億元發展5G移動通信、集成電路、網絡信息安全、光通信、光纖及光器件、特種通信、數據通信、云計算、物聯網與智慧城市解決方案等9個產業方向。

此次工信部主導成立國家信息光電子創新中心，推動4家單位通力合作，實現100G硅光芯片的產業化商用，表明我國已經具備硅光產品商用化設計的條件和基礎。

未來幾年，硅光技術有望在光通信系統中大規模部署和應用，推動我國自主硅光芯片技術向超高速、超大容量、超長距離、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向發展。