中芯國際集成電路制造有限公司和IC設計公司及一站式服務供應商燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱"燦芯半導體"）近日宣布采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM Cortex-A9 MPCore雙核芯片測試結果達到1.3GHz。

 

該測試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設計，采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一個32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存儲器模塊、ARM NEON、調試和追蹤的ARM CoreSight等等， 另外還透過AMBA? AXI總線集成了內建SRAM與DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等等介面。除了高速標準單元庫以外，該測試芯片還采用了中芯國際高速定制存儲器和單元庫（SMIC Performance Enhancement Kit）以提高性能。

 

中芯國際首席商務長季克非表示："燦芯半導體在短短幾個月內，就能達成此預定目標，證明了燦芯半導體在技術上與國際先進水平相當，同時也證明了中芯國際工藝的穩定度和市場領導地位。我們三方共同合作提供的40LL綜合平臺，不僅能縮短客戶產品的上市周期，而且可以減低客戶在先進技術設計上開發的風險。今天，這個里程碑式的合作再次證明了我們竭誠為客戶提供行業領先技術的決心。 中芯國際將繼續加強先進工藝技術的開發，為高性能的消費類電子產品提供極具競爭力的解決方案。"

 

燦芯半導體總裁兼首席執行官職春星博士指出："ARM Cortex-A9雙核測試芯片的實測結果達到了我們的預期目標，這證明燦芯半導體在技術上完全有實力達到目前業界需求。此外，我們很快將在同一工藝上開始下一顆A9測試芯片的流片，而這顆芯片將達到更高的性能。燦芯半導體致力于為客戶提供最先進的平臺和解決方案，我們也一直在朝這個目標努力，相信在中芯國際、ARM以及其他合作伙伴的支持下，必將實現我們的目標，為客戶帶來巨大價值！"

 

ARM中國區總裁吳雄昂說："來自燦芯半導體、中芯國際和ARM持續不斷的緊密合作所達成的里程碑是產業絕佳范例，展示出我們如何共同合作推陳出新，推動下一代智能連網設備的核心技術！ARM相當重視與燦芯半導體及中芯國際的合作關系，并承諾將通過基于ARM架構的技術，為我們共同的客戶提供最先進的設計與生產平臺，進而符合他們在功耗、性能與上市周期的需求。"