STGW30N120KD/STGW40N120KD：低開關損耗1200V IGBT系列產品

上網時間：2009-10-21   來源：電子元件技術網產品特性： 
節能
能夠承受長達10微秒的短路事件
額定工作電壓為1200V
應用范圍：
STGW30N120KD/STGW40N120KD：低開關損耗1200V IGBT系列產品

電機驅動器

日前，意法半導體（ST）推出新系列功率晶體管，可最大限度降低電機控制電路的兩大能耗源，降低家電、供暖通風空調（HVAC）系統、工業機床等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款導通損耗很低的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），可降低開關損耗。

這兩款IGBT采用意法半導體的PowerMESH™制程，節能降耗，并全面提升能效。更低的開關損耗意味著更高的開關頻率，更高的開關速度意味著在功率控制電路中可以使用更小的更低廉的元器件。此外，緊湊的工業標準TO-247封裝內還集成了大多數電路所需的超高速續流二極管，減少了外部元器件的數量。

這兩款1200V IGBT能夠承受長達10微秒的短路事件，可以抵御常見的電機控制器失效原因，如柵驅動信號錯誤、接地短路和電機相對相絕緣擊穿。通過改進可靠性，STGW30N120KD和STGW40N120KD減少了維修、更換次數和售后維修服務請求，以降低最終用戶的使用成本。

新系列產品的額定工作電壓為1200V，可用于440V或480V的交流線電壓。結合現有的600V低損耗IGBT產品線，新器件將協助意法半導體打造業內最齊全的功率晶體管產品組合。