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Vishay發布新款采用20V P溝道MOSFET

關鍵字:Vishay  MOSFET 

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE代號:VSH)宣布,推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8m最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封裝的器件,在實現低導通電阻的同時,高度比通常的0.75mm還要低28%,同時保持相同的PCB布版樣式。

Si7655DN的應用將包括工業系統中的負載開關和熱插拔,適配器、電池和充電電路中的負載開關,智能手機、平板電腦和其他移動計算設備中的電源管理。Si7655DN還可以用于固話電信、蜂窩電話基站和 服務器/計算機系統中的冗余開關、OR-ing和監管應用。

利用新的PowerPAK 1212封裝型號和Vishay Siliconix業內領先的P溝道Gen III技術,Si7655DN具有3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5V)的最大導通電阻。這些性能規格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

長期成功離任天堂還比較遠

2006年,Wii率先為市場帶來了基于手勢的游戲控制方式。創新的產品,加上新穎有趣的社交與生活方式軟件,讓Wii為人所稱道并取得巨大成功。任天堂的創新能力與第一方內容,幫助Wii在推出以來全球銷量達到驚人的9200萬個。

無疑,Wii U鞏固了任天堂作為創新者的形象,向市場推出了第一種專門的、全集成第二屏幕游戲體驗。但是,游戲消費市場非常分散,永遠開機的連網產品非常普及,在這種環境下,只靠產品創新不足以保持對當今主流消費者的吸引力。

這次,Wii U的純粹創新,加上數量有限的高質量任天堂軟件,將不足以讓其保持Wii那樣的銷售勢頭,尤其是其價格還較高。在追求產品創新的同時,長期成功還取決于通過經常發布來自第一方和第三方的高質量內容,保持消費者參與;有競爭力的非游戲娛樂主張;高明的數字與在線策略。任天堂在推出Wii U的時候,距離提供全面的參與引導的價值主張還有一些距離。

自知之明與改進之心

任天堂最近發表的戰略性聲明顯示,該公司已經認識到弱點,而且愿意采取應對措施以保持競爭力。為產品上市窗口準備的Wii U游戲,所采用的第三方開發商要多于以往。任天堂還與3D游戲引擎提供商Unity合作,以鼓勵新的游戲開發者加入進來。在新的一年里,任天堂有額外的后備游戲,可以維持內容的新鮮感。任天堂也在專注于數字與在線策略,推出了自己的升級商店與社區平臺。

任天堂上述新措施的執行情況,將在很大程度上決定Wii U在發布階段過后能否保持市場地位。屆時Wii U將與越來越多的連網產品競爭。

*Piers Harding-Rolls是IHS公司的游戲研究資深首席分析師及總監。

Si7655DN的低導通電阻使設計者能夠在電路中實現更低的壓降,更有效地使用電能,讓電池運行的時間更長,且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封裝將有助節省寶貴的空間。

Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET系列中的最新成員。

新的Si7655DN現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

產品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現貨供應商
HAMAMATSU 濱松光電產品
傳感器
飛思卡爾開發工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動化工業系統
網絡攝像機
行車記錄儀
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