宏力半導體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術是在現有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術基礎上,進一步優化生產工藝,將原來0.38平方微米的閃存存儲單元面積顯著減小了近50%(小于0.2平方微米),為業界0.13微米嵌入式閃存技術節點的最小閃存存儲單元尺寸,尤其適合大容量閃存的產品。該閃存技術具有很高的耐擦寫能力和數據保持特性,可重復擦寫10萬次,數據保持100年,并且兼具編程效率高和無過度擦除的優點。此外,該款技術搭配宏力半導體獨有的雙閘工藝平臺,提供了市場應用中最低本高效之解決方案。
宏力半導體企業發展與戰略副總經理傅城博士表示:“我們非常高興,同方微電子選擇宏力半導體作為其SIM卡芯片的合作伙伴。除SIM卡外,我們的0.13微米微縮版嵌入式閃存生產工藝還可為USB密鑰、移動支付、工業電子等產品提供極具競爭力的解決方案,迅速幫助客戶擴大市場份額。”
同方微電子主管技術研發的副總經理吳行軍表示:“非常高興看到宏力半導體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術應用到同方微電子SIM卡芯片的生產服務中,幫助同方微電子進一步鞏固國內SIM卡芯片市場地位。同時,同方微電子還將繼續在金融IC卡、居民健康卡、社保卡、城市通卡以及移動支付等領域深入耕耘。”