飛兆半導體150V MOSFET在隔離DC-DC應用中實現更高性能

關鍵字： 飛兆半導體  FDMS86200  150V MOSFET  隔離DC-DC 

飛兆半導體宣布推出一款具有低R_DS(ON) (最大值17mOhm)和優化品質因數(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術和封裝技術，以及系統專有技術，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。

FDMS86200使用屏蔽柵極MOSFET技術來設計，具有較低的開關噪聲和振鈴噪聲，有助于降低EMI。如果沒有這項專有技術功能，設計人員則需被迫選擇一個200V MOSFET器件，從而令到R_DS(ON)增加一倍，導致總體效率降低。飛兆半導體的FDMS86200 還帶有經改進的體二極管，能夠通過減少損耗來提升開關性能。

價格： 訂購1,000個，單價為1.92美元

供貨： 現提供樣品

交貨期 ：收到訂單后12至15周

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