IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF采用IR的纖薄晶圓場截止溝道技術,可大幅降低開關與導通損耗,在更高頻率下可提升功率密度和效率。全新IGBT與二極管共同采用DPAK或D2Pak封裝,并且具有6A額定電流及不小于 5μs的最低短路額定值。
全新器件還具備能夠降低功耗和提升功率密度的低Vce(on),以及易于并聯的正Vce(on) 溫度系數。IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF適用于廣泛的開關頻率,最高達20kHz。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF 拓展了IR寬泛的IGBT系列,并且為高性能家電與輕工業應用帶來高效可靠的解決方案。”
IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF可以裸片或封裝器件的形式提供,其他主要功能包括經過優化的方形反向偏壓安全工作區 (RBSOA) 、最高達175°C的結溫,以及能夠提高可靠性的低電磁干擾 (EMI) 功能。
新產品現正接受批量訂單,符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。相關數據資料及IGBT產品選型工具,請瀏覽IR的網站。