IR新一代Gen 7 F器件采用擊穿溝道式技術,能夠為特定的工作頻率提供更高功率密度,以及經過優化的傳導和開關損耗。全新IGBT的VCE(ON) 非常低,能通過零溫度系數提升效率,使整個工作范圍都能保持高效率。該器件還能實現順暢開關,以減少電磁干擾與過沖,并且能在電機驅動應用中實現額定短路。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR全新的600V Gen 7 F溝道IGBT具有非常低的開關和傳導損耗,為在10kHz以下工作的電機驅動應用進行了優化,從而實現最佳效率。”
IRG7RC10FD 和IRG7IC30FD 均與軟恢復二極管共同封裝,而IRG7SC12F 則是單一IGBT,可讓設計師根據應用需要選擇合適的二極管。
兩款配備Gen 7 F IGBT的電機控制參考設計現已供應。IRMDKG7-400W包含適合高達400W電機的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高壓集成電路 (HVIC) 驅動器,而IRMDKG7-600W包含適合高達600W電機的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高壓集成電路驅動器。兩款參考設計都備有散熱片供用戶選擇。
產品規格
產品現正接受批量訂單。有關器件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。